InGaAs APD moduluak

Eredua: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Deskribapen laburra:

Indio galio arseniuroa elur-jausi fotodiodoaren modulua da, aurre-anplifikazio-zirkuituarekin, korronte-seinale ahula anplifikatu eta tentsio-seinale bihurtzea ahalbidetzen duena fotoi-fotoelektriko-seinalearen anplifikazioaren bihurketa-prozesua lortzeko.

jaso aurrekontua Deskargatu

Parametro teknikoa

Produktuen etiketak

Ezaugarriak

Aurrealdeko txip laua argiztatuta
Abiadura handiko erantzuna
Detektagailuaren sentsibilitate handia

Aplikazioak

Laser bidezkoa
Laser komunikazioa
Laser abisua

Parametro fotoelektrikoa（@Ta=22±3℃）

Elementua #	Pakete kategoria	Gainazal fotosentikorraren diametroa (mm)	Erantzun espektralaren barrutia (nm)	Matxura-tentsioa （V）	Erantzunkortasuna M=10 λ=1550nm (kV/W)	Goranzko denbora (ns)	Banda zabalera (MHz)	Tenperatura-koefizientea T_a= -40 ℃ ~ 85 ℃ （V/℃）	Zarata-potentzia baliokidea (pW/√Hz)	Zentrizitatea (μm)	Ordeztutako mota beste herrialde batzuetan
GD6510Y	TO-8	0.2	1000~1700	30~70	340	5	70	0,12	0,15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0,5				10	35		0,21		−
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B