Maiztasuna laukoiztu egiten da Zuntz Ultramore Laser Irudia

Maiztasuna laukoiztu zuntz ultramore laserra

Eredua: EFL-FHG-XX-YY-ZZ¹

Deskribapen laburra:

Erbium taldeak 250 nm-tik 400 nm-ra arteko potentzia handiko eta maiztasun bakarreko UV laserrak eskaintzen ditu, zientzia kuantikoetan aplikazioetarako, hala nola atomo hotzak, molekula ultra-hotzak, Rydberg atomoaren fotoi bakarreko kitzikapena eta maiztasun estandarra.UV laserra zuntz osoko anplifikadore bat lerro zabalera ultra-estu batekin hazitako laser bat, pasabide bakarreko maiztasuna bikoizteko PPLN kristalarekin eta kaskadako hobekuntza erresonantzia-barrunbe batekin konbinatuz lortzen da.Laser hauek lerro zabalera estuaren, polarizazio lineala eta sintonizagarriaren ezaugarriak dituzte.Potentzia aktiboaren kontrolaren ondoren, laserren irteerako potentzia RMS % 1,0 baino txikiagoa da 3 orduko epean.

jaso aurrekontua Deskargatu

Parametro teknikoa

Produktuen etiketak

Ezaugarri nagusiak

● Pasabide bakarreko maiztasunaren bikoizketa egitura sinplea

● Eraginkortasun handiko kanpoko barrunbearen erresonantzia-maiztasuna bikoiztea

● Irteera potentzia handia

● intentsitate baxuko zarata

● lerro zabalera estua

Aplikazioak

● Rubidio atomoaren Rydberg fotoi bakarra kitzikatzea (297 nm)

● Berilio ioi hoztea (313 nm)

● Sare-idazketa (390 nm)

● Kaltzio ioien erloju optikoa (397 nm)

● Iterbio atomoen hoztea (399 nm)

Aplikazio tipikoak
FL-SSHG	Izan+	Hg	He	OPO	K	Rb	Izan+	Sr	Litografia	Ga	iterbio atomoen laser hoztea
Uhin-luzera (nm)	235	253	260	266	286	297	313	319	390	397	399
Potentzia (mW)	0,1-1	50	50	50	300	300	500	500	3000	1000	1500

Lerro zabalera estua duten 1050 nm eta 1550 nm laserrak hazi iturri gisa erabiltzen dira hurrenez hurren.Maiztasun bakarreko zuntzaren bidez anplifikatu ondoren, bi laserek 626 nm-ko laserra sortzen dute lerro zabalera estuarekin eta potentzia handikoa aldian-aldian polarizatutako SFG kristala erabiliz.Kanpoko erresonantzia eraginkor bat kaskatuz

barrunbean, laserren uhin-luzera 313 nm-ko banda ultramore bihurtzen da.Diodo laserdun bi erresonantzia-barrunbeekin alderatuta, gure produktuak egitura trinkoagoa eta egonkorragoa du, laser-irteerako potentzia handiagoa.

shdf1 Uhin-luzera-potentzia Beam Profile Potentzia-egonkortasunaren proba

Adierazle teknikoak

Eredua	EFL-FHG-XX-YY-ZZ¹
Uhin-luzera², nm	253-280	280-307		307-325		385-399	399-420	420-500
Irteerako potentzia³, mW	>50	>300		>500		> 3000	1000-200	> 1000
Lerro-zabalera, kHz	<40	<400		<40		< 10	<40	< 50
Tuning Range , nm	0,15		1.5		0,15
Modu-jauzi barrutia, GHz librea	800		80		600
Beam Kalitatea	TEMₒₒ, M² <1,3
PER, dB	>20
RMS potentzia-egonkortasuna, %	<1,0 %@3h
Potentzia Gama	%10-%100
Hoztea	Aire hoztea/Ura hoztea
1: XX: Uhin-luzera zentrala, YY: Irteerako potentzia maximoa, ZZ: Eragiketa modua 2: Erdiko uhin-luzera pertsonalizatu daiteke 3: Potentzia pertsonalizatu daiteke