900nm Si PIN fotodiodoa

Eredua: GT101Ф0.2/ GT101Ф0.5/ GT101Ф1/ GT101Ф2/ GT101Ф4/ GD3251Y/ GT101Ф8/ GD3252Y

Deskribapen laburra:

Alderantzizko polarizaziopean funtzionatzen duen Si PIN fotodiodoa da eta UVtik NIRra bitarteko sentikortasun handia eskaintzen duena.Erantzunaren uhin-luzera gailurra 930 nm da.

jaso aurrekontua Deskargatu

Parametro teknikoa

Produktuen etiketak

Ezaugarriak

Aurrealdeko egitura argiztatua
Korronte ilun baxua
Erantzun handia
Fidagarritasun handia

Aplikazioak

Zuntz optikoko komunikazioa, sentsazioa eta distantzia
UV-tik NIR-ra detekzio optikoa
Pultsu optikoen detekzio azkarra
Industriarako kontrolatzeko sistemak

Parametro fotoelektrikoa（@Ta=25℃）

Elementua #	Pakete kategoria	Gainazal fotosentikorraren diametroa (mm)	Erantzun espektralaren barrutia (nm)	Erantzun goreneko uhin-luzera (nm)	Erantzunkortasuna (A/W) λ=900nm	Goranzko denbora λ=900nm V_R= 15V R_L=50Ω(ns)	Korronte iluna V_R= 15V (nA)	Konjuntzio-kapazitantzia V_R= 15V f=1MHz (pF)	Matxura-tentsioa （V）
GT101Ф0.2	II mota koaxiala, 5501, TO-46, Entxufe mota	Ф0.2	4~1100	930	0,63	4	0.1	0,8	>200
GT101Ф0.5		0.5				5	0.1	1.2
GT101Ф1		Ф1.0				5	0.1	2.0
GT101Ф2	TO-5	Ф2.0				7	0,5	6.0
GT101Ф4	T0-8	Ф4.0				10	1.0	20.0
GD3251Y	TO-8	Ф6.0				20	10	30
GT101Ф8	T0-8	8.0				20	3.0	70,0
GD3252Y	T0-8	5,8×5,8				25	10	35